Parylene采用了一種獨特的化學氣相沉積工藝(CVD)。CVD工藝一開始應用于半導體工業(yè)的外延生長,整個過程是氣態(tài)反應,又在真空條件下進行,因而可以獲得非常均勻的涂層,達到其它方法難以實現(xiàn)的同形性。
派瑞林沉積過程過程主要有三步:
1. 真空130℃條件下固態(tài)派瑞林材料升華成氣態(tài)。
2. 真空680℃條件下,將氣態(tài)雙份子裂解成活性單體。
3. 真空常溫下,氣態(tài)單體在基體上生長聚合。
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Parylene采用了一種獨特的化學氣相沉積工藝(CVD)。CVD工藝一開始應用于半導體工業(yè)的外延生長,整個過程是氣態(tài)反應,又在真空條件下進行,因而可以獲得非常均勻的涂層,達到其它方法難以實現(xiàn)的同形性。
派瑞林沉積過程過程主要有三步:
1. 真空130℃條件下固態(tài)派瑞林材料升華成氣態(tài)。
2. 真空680℃條件下,將氣態(tài)雙份子裂解成活性單體。
3. 真空常溫下,氣態(tài)單體在基體上生長聚合。