產(chǎn)品簡介:此款設備配有Plasma實現(xiàn)等離子增強,滑軌式設計在操作時可將實驗需要的恒定高溫直接推到樣品處,使樣品能得到一個快速的升溫速度,同樣也可將高溫的管式爐直接推離樣品處,使樣品直接暴露在室溫環(huán)境下,得到快速的降溫速率。并可選配氣氛微調(diào)裝置,可準確的控制反應腔體內(nèi)部的氣體壓力,帶刻度的調(diào)節(jié)閥對于做低壓CVD非常簡單實用,工藝重復性好,對于石墨烯生長工藝非常合適,也同樣適用于要求快速升降溫的CVD實驗。
主要功能和特點:
1、利用輝光放電產(chǎn)生等離子體電子激活氣相;
2、提高了氣相反應的沉積速率、成膜質(zhì)量;
3、可通過調(diào)整射頻電源頻率來控制沉積速率;
4、能廣泛用于:石墨烯、SiOx、SiNx、CNx、TiCxNy等薄膜的生長。