化學(xué)氣相沉積設(shè)備報價 NRP-4000 反應(yīng)離子刻蝕（RIE）/等離子增強化學(xué)氣相沉積（PEVCD）雙系統(tǒng)一體機 一、NRP-4000系統(tǒng)應(yīng)用： 該系統(tǒng)是我們專門為R&D環(huán)境提供的一種更經(jīng)濟有效的雙功能方案(RIE/PECVD)用于不同的應(yīng)用，替代購買兩套獨立的系統(tǒng)。雙系統(tǒng)一體機可以極大的節(jié)省實驗室的空間和成本。該系統(tǒng)通過共用渦輪分子泵組以及兩個腔體之間的門閥，還有計算機控制系統(tǒng)，以及有些部分的MFC等核心組件的共用，節(jié)省成本。用戶可通過計算機控制軟件選擇RIE或PECVD,用戶針對應(yīng)用在不同的腔體中放置相應(yīng)的樣片即可通過計算機軟件控制并自動完成整個工藝。 此雙系統(tǒng)設(shè)備支持所有的RIE刻蝕應(yīng)用和PECVD沉積應(yīng)用。 二、NRP-4000雙系統(tǒng)概述： 在PECVD一側(cè)我們可以沉積非晶硅、氧化硅和氮化硅，在RIE一側(cè)可以刻蝕氧化硅和氮化硅（當(dāng)然可以根據(jù)使用不同的工藝氣體達到不同的應(yīng)用）。 在RIE一側(cè)具有一些獨特的性能：基于PC計算機全自動的工藝控制而確保優(yōu)越的可重復(fù)性，并且獨特的樣品臺冷卻技術(shù)防止RF射頻泄漏，從而不會產(chǎn)生業(yè)內(nèi)其它系統(tǒng)所發(fā)生的那樣自偏壓的下降和偏離。 過去的設(shè)計中PECVD一側(cè)的14“不銹鋼立方腔體。最近，我們已經(jīng)改變腔體的設(shè)計為13”陽極氧化鋁腔體（如RIE腔體），這是我們更新的設(shè)計并且減少了淋浴頭等離子源和樣品臺之間的間距，并在晶圓上取得了最佳的均勻度。請參考附上的工藝數(shù)據(jù)。在數(shù)據(jù)中可以看到我們可以在200度左右的溫度下沉積氧化硅和氮化硅。我們?yōu)榉磻?yīng)氣體提供了氣體環(huán)，使得生長的薄膜具有更出色的化學(xué)計量比。 在RIE一側(cè)，我們也可以提供額外的離子源-淋浴頭RF等離子源用于等離子各向同性刻蝕。系統(tǒng)也具備RF電源從等離子源切換到RIE端用于各向異性刻蝕的能力。另外額外的選項也可以被加入到系統(tǒng)中，比如ICP離子源，可以實現(xiàn)高速率的刻蝕和沉積，也可以在PECVD側(cè)增加低頻模塊用于控制氮化物薄膜的應(yīng)力，等等。 三、NRP-4000系統(tǒng)產(chǎn)品特點： PECVD部分： - 帶氣體環(huán)的等離子源 - 13”圓柱形鋁質(zhì)，氣動升降頂蓋，便于從頂部放片/取片 - 6”樣品臺，加熱到400oC，PID控溫，可以處理到6”或以下的晶圓片 - 4個MFC（5%SiH4/Ar,?N2O,?NH3, He，可增加）并從RIE端共享Ar和O2 ,工藝結(jié)束后N2自動吹掃 - 雙真空計配置，MKS Baratron工藝真空計及Edwards廣域真空計 RIE部分： - 淋浴頭均勻的氣體分布 - 13”圓柱形鋁質(zhì)，氣動升降頂蓋，便于從頂部放片/取片 - 6”偏壓陽極氧化鋁樣品臺，帶暗區(qū)保護，循環(huán)冷卻水冷卻 - 4個MFC（CF4，C4F8，O2，Ar，可增加）,工藝結(jié)束后N2自動吹掃 - N2卸壓的MFC氣體保護箱，帶獨立氣莢 - 雙真空計配置，MKS Baratron工藝真空計及Edwards廣域真空計 共同部分： - 獨立式不銹鋼立柜系統(tǒng)，占地面積28”L x 42”W x 44”H - 帶Lab View軟件的觸摸屏計算機全自動的工藝控制 - 600W RF離子源電源帶自動調(diào)諧器，用于RIE樣品臺和PECVD等離子源，自動切換 - 2個6”門閥用于隔離腔體 - 抽速為260l/sec的普法HiPace300渦輪分子泵，串接Edwards RV8機械泵 - 兩個腔體的極限真空5x10-7Torr，20分鐘內(nèi)達到10-6Torr級別 - 通過控制渦輪速度實現(xiàn)下游壓力全自動控制 那諾中國有限公司|||化學(xué)氣相沉積設(shè)備報價