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克隆芯片（抄芯片）設(shè)計流程
◆ 腐蝕
－塑料封裝外殼的腐蝕，可看到層金屬層
一般采用98%的硫酸加熱蒸煮
－金屬鋁層的腐蝕，可看到多晶和有源區(qū)
采用熱磷酸
－有多層金屬時，去除一層金屬后需要用氫氟酸去二氧化硅
－去多晶硅，染色看顯現(xiàn) P阱和N阱
－其它細節(jié)處理，縱向結(jié)構(gòu)解剖（SEM掃描電鏡/TEM透射電鏡或摻雜濃度曲線測試，一般需要IC解剖不作，都是標準工藝，分立器件一般需要做）
◆ 照相拼圖
－每腐蝕一層，分區(qū)域照相
－每一層金屬拼合圖，每一層多晶拼合圖，有源區(qū)拼合圖
－把拼合圖處理成軟件可識別的圖像文件
◆ 提取、整理電路
－數(shù)字電路需要歸并同類圖形，例如與非門、或非門、觸發(fā)器等，同樣的圖形不要分析多次
－提出的電路用電路繪制軟件繪出，按照易于理解的電路布置，使其他人員也能看出你提取電路的功能
－提取電路的速度完全由提圖人員經(jīng)驗水平確定
－各組件連接起來，如果不整理電路是看不出各模塊的連接及功能的
◆ 分析電路
－提取出的電路整理成電路圖，并輸入幾何參數(shù)（MOS為寬長比）
－通過你的分析，電路功能明確，電路連接無誤
◆ 仿真驗證，電路調(diào)整
－對電路進行功能仿真驗證
－模擬電路一般采用Hspice、Cadence等工具，小規(guī)模數(shù)字電路采用Cadence,Hsim等工具
－根據(jù)新的工藝調(diào)整電路
－調(diào)整后進行驗證
◆ 版圖繪制驗證及后仿真
－根據(jù)新的工藝文件繪制版圖
－版圖DRC、LVS，寄生參數(shù)提取（Dracula,Assura,Calibre等工具）
－提取的網(wǎng)表作仿真驗證，并與前仿結(jié)果對比
－版圖導出GDS文件，Tape out
