產(chǎn)品簡(jiǎn)介 PHYS-R80 無(wú)接觸厚度電阻率測(cè)試儀是一款用于硅片的厚度、電阻率測(cè)量的儀器，該儀器適用于Si，GaAs，InP，Ge等幾乎所有的材料，所有的設(shè)計(jì)都符合ASTM(美國(guó)材料實(shí)驗(yàn)協(xié)會(huì))和Semi標(biāo)準(zhǔn)，確保與其他工藝儀器的兼容與統(tǒng)一。 特征 ■無(wú)接觸無(wú)損傷測(cè)量 ■電阻率和厚度同時(shí)測(cè)量 ■適用的晶圓材料包括Si，GaAs，InP，Ge等幾乎所有的材料 ■電腦觸摸屏顯示 ■抗干擾強(qiáng)，穩(wěn)定性好 ■強(qiáng)大的工控機(jī)控制和大屏幕顯示 ■一體化設(shè)計(jì)操作更方便，系統(tǒng)穩(wěn)定 ■為晶圓硅片關(guān)鍵生產(chǎn)工藝提供的無(wú)接觸測(cè)量 技術(shù)指標(biāo) ■測(cè)試尺寸：50mm- 300mm. ■厚度測(cè)試范圍：1000 um，可擴(kuò)展到1700 um ■ 厚度測(cè)試精度： /-0.25um ■ 厚度重復(fù)性精度：0.050um ■ TTV 測(cè)試精度: /-0.05um ■ TTV重復(fù)性精度: 0.050um ■電阻率測(cè)試范圍：0.1ohm.cm——50 ohm.cm ■ 電阻率測(cè)試精度： /- 2% ■ 電阻率測(cè)量重復(fù)精度： /- 1% ■ 晶圓硅片導(dǎo)電型號(hào)：P 或 N型 ■ 材料：Si，GaAs，InP，Ge等幾乎所有半導(dǎo)體材料 ■ 可用在：切片后、磨片前、后，蝕刻，拋光以及出廠、入廠質(zhì)量檢測(cè)等 ■平面/缺口：所有的半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)平面或缺口 ■ 硅片安裝：裸片，藍(lán)寶石/石英基底，黏膠帶 ■ 連續(xù)5點(diǎn)測(cè)量 應(yīng)用范圍 > 切片 >>線(xiàn)鋸設(shè)置 　　　　>>>厚度 　　>>>總厚度變化TTV >>>電阻率 >>監(jiān)測(cè) >>>導(dǎo)線(xiàn)槽 >>>刀片更換 >磨片/刻蝕和拋光 >> 過(guò)程監(jiān)控 >> 厚度 >>總厚度變化TTV >> 材料去除率 >　研磨 >> 材料去除率 >　終檢測(cè) >>　抽檢或全檢 >> 終檢厚度 >> 終檢電阻率