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美國SMI公司的硅微結(jié)構(gòu)壓力傳感器件和傳感器晶圓；產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車制造、醫(yī)療設(shè)備和工業(yè)生產(chǎn)：如胎壓檢測、引擎控制、呼吸機、麻醉機、監(jiān)護儀、氧氣瓶、風(fēng)速計、血壓計、空調(diào)系統(tǒng)等相關(guān)產(chǎn)品。
美國SMI微壓傳感器的技術(shù)原理
美國Silicon Microstructures INC.開發(fā)了一系列價位低、線性度在0.3%到0.05%范圍內(nèi)的硅微結(jié)構(gòu)壓阻式傳感器，滿量程為0.15psi(1KPa)、0.3psi(2KPa)、0.8psi(5KPa)、1.5psi(10KPa)、3 psi(20KPa)、較低滿量程為0.15psi(1KPa)，被列為超低壓力測量范圍。
美國SMI廉價的壓阻式、超低壓傳感器成功的關(guān)鍵是它的創(chuàng)新的物理刻蝕設(shè)計。一般來說,硅微壓力傳感器芯片采用扁平膜來測量壓力。SMI傳感器芯片采用三維膜片結(jié)構(gòu),用硅刻蝕工藝將產(chǎn)生的應(yīng)力(壓力)集中在傳感電阻處。這樣在保持總體精度和線性度的同時仍有很高的靈敏度。80%的應(yīng)力傳遞到膜片中的梁式區(qū)域,而膜片丟失的應(yīng)力只有20%。
除了壓阻器所處的四周外，膜片的所有部分都減薄，從而得到膜片的浮凸結(jié)構(gòu)。由于傳感器看起來象機械力放大器，因而便于把膜片運動的應(yīng)力集中在壓阻器上，增加的應(yīng)力極大地提高了信號輸出，膜片上的浮凸用做終止層。四周的薄膜有效地將器件密封起來。因此壓力不會前后移動。此外，在器件的結(jié)構(gòu)內(nèi)，離子注入電阻形成壓阻式惠斯登電橋，凹坑減少了器件的總震動質(zhì)量。
