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新型中頻淬火設(shè)備的優(yōu)點(diǎn)有：
1、省電;比電子管式省電30%，比可控硅中頻省電20%。
2、性能穩(wěn)定：保護(hù)，無(wú)后顧之憂。
3、加熱速度快：無(wú)氧化層，變形小。
4、體積?。褐亓枯p、安裝方便。
5、感應(yīng)器由變壓器隔離，安全。
6、環(huán)保:沒(méi)有污染、噪聲和粉塵。
7、適應(yīng)性強(qiáng)：能加熱各種各樣的工件。
8、溫度及加熱時(shí)間可控制。加工質(zhì)量低。升級(jí)版高頻感應(yīng)加熱設(shè)備以IGBT為開(kāi)關(guān)器件的感應(yīng)淬火設(shè)備。
新型中頻淬火設(shè)備的配置：
▲IGBT:這種新型的中頻電源，采用的是串聯(lián)諧振電路，控制電路全部集成化，起動(dòng)、操作十分方便。
▲設(shè)備主要的元器件選用德國(guó)的。運(yùn)行，故障率很低，維修費(fèi)用少。它整流部分是三相全橋整流電路，很少產(chǎn)生高次諧波，所以電源的供電變壓器不發(fā)熱，減少了不必要的損耗。它對(duì)工廠變電所無(wú)功補(bǔ)償電容器 沒(méi)有任何影響，對(duì)電網(wǎng)不會(huì)產(chǎn)生高次諧波污染。 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。
