主要功能：本設(shè)備規(guī)格書為，為了提高單晶硅太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率,采用堿與醇的混合溶液對單晶硅片的各項異性腐蝕在表面形成類似“金字塔”狀的絨面,有效增強硅片對入射太陽光的吸收,從而提高光生電流密度。此方案是為了能更好的實現(xiàn)硅片表面絨面，增加其轉(zhuǎn)換效率而設(shè)計。 設(shè)備形式：室內(nèi)放置型。 設(shè)備尺寸（參考）：L10000mm（長）*W1950mm（寬）*D1800mm（高）。 設(shè)備系列型號：MK-SC-DJPV-M01。 被清洗硅片尺寸：125×125×0.20mm / 156×156×0.20mm 額定功率：150kw 。 2.1 主要技術(shù)參數(shù)： （由于技術(shù)的不斷更新，以下方案允許做以提高設(shè)備性能的技術(shù)調(diào)整） 序號 工序名稱 輔助 處理液 時間 溫度 材質(zhì) 蓋 循環(huán) 抽風(fēng) 1 堿制程槽 循環(huán) 加熱 鼓泡 計時 堿液 乙醇 25min 60-90℃ NPP 有 有 有 2. 堿制程槽 循環(huán) 加熱 鼓泡 計時 堿液 乙醇 25min 60-90℃ NPP 有 有 有 3 堿制程槽 循環(huán) 加熱 鼓泡 計時 堿液 乙醇 25min 60-90℃ NPP 有 有 有 4 堿制程槽 循環(huán) 加熱 鼓泡 計時 堿液 乙醇 25min 60-90℃ NPP 有 有 有 5 水清洗槽 溢流 鼓泡 DIW 1min RT NPP 無 無 無 6 水清洗槽 溢流 鼓泡 DIW 1min RT NPP 無 無 無 7 酸洗槽 浸泡腐蝕 HF HCL 4min RT NPP 有 無 有 8 階梯溢流槽 溢流 鼓泡 計時 DIW 3min 60-90℃ NPP 有 有 有 9 慢提拉脫水槽 硅片脫水 DIW 4min 60℃ NPP 無 無 有 10 出料臺面 / / / RT NPP 無 無 有 2.2 設(shè)備工作條件：（具體實際條件按照客戶提供為準） 序號 種類 規(guī)格 材質(zhì) 方式 1 電源 380V 三相 50Hz 125KW 2 高壓空氣 0.6MPa，一般為6m3/h，較大流量230L/min，進氣口徑 ≥φ10mm。 TPU軟管 內(nèi)螺紋 4 HF接口 英制1/2”，流量≥2.5 m3/h。 PFA 擴口接頭 5 HCL接口 英制1/2”，流量≥2.5m3/h。 PFA 擴口接頭 6 NaOH接口 英制1/2”，流量≥2.5m3/h。 PFA 擴口接頭 7 排 風(fēng) 量 1500 m3/h，2*DN250。 PP材質(zhì) 法蘭 8 廢酸排放 9 m3/h，英制D1”*1 NPP FNPT內(nèi)螺紋接口 9 廢水排放 11 m3/h，英制D2”*3 或DN40（外徑50mm） PP 活接