更詳細(xì)資料：131-2297-6482 婁經(jīng)理

光學(xué)系統(tǒng)
  曝光時(shí)間調(diào)解器：0.1至999.9秒(可調(diào)節(jié)精度0.1s)；
  365-400nm光強(qiáng)傳感及電源供應(yīng)控制電路及反饋閉環(huán)；
  聲控功率警報(bào)裝置可防止系統(tǒng)功率超過設(shè)定指標(biāo)；
  有安全保護(hù)裝置的溫度及其氣流傳感器；
  全景準(zhǔn)直透鏡光線偏差半角:<1.84度；
  波長(zhǎng)濾片檢查及安裝裝置；
  抗衍射反射功能高效反光鏡；
  二向色的防熱透鏡裝置；
 防汞燈泄漏裝置；
  配備蠅眼棱鏡裝置；
  配備近紫外光源，
     --220 nm 輸出強(qiáng)度 – 大約 8-10 mW/ cm2
     --254 nm 輸出強(qiáng)度 – 大約 12-14 mW/ cm2
     --365 nm 輸出強(qiáng)度 – 大約 18-20 mW/ cm2
     --400 nm 輸出強(qiáng)度 – 大約 30-35 mW/ cm2

主要配置:
  6”，8”光源系統(tǒng)
  可支持2”，3”，4”，6”，8”（圓/方片）及碎片光刻（支持特殊工藝卡盤設(shè)計(jì)）
  手動(dòng)系統(tǒng)，半自動(dòng)系統(tǒng),
  支持電源350-2000 Watt
  支持深紫外近紫外波長(zhǎng)（可選項(xiàng)）<1.84度；
  CCD或顯微鏡對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)

背后對(duì)準(zhǔn)測(cè)試1:
3um光刻膠套刻至5umAl線內(nèi)

背后對(duì)準(zhǔn)測(cè)試2:
硅片套刻金屬10um對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記

主要性能指標(biāo)：:
  光強(qiáng)均勻性Beam Uniformity:
     --<±1% over 2” 區(qū)域
     --<±2% over 4” 區(qū)域
     --<±2.5% over 6” 區(qū)域
  接觸式樣曝光特征尺寸CD（深紫外DUV）：0.35 um
  接觸式樣曝光特征尺寸CD(近紫外NUV）： 0.5 um
  支持接近式曝光，特征尺寸CD:
     --0.8um 硬接觸
     --1um 20 um 間距時(shí)
     --2um 50um 間距時(shí)
  正面對(duì)準(zhǔn)精度±0.5um
  支持正膠、負(fù)膠及Su8膠等的厚膠光刻，特征尺寸：100um-300um