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單晶硅反滲透水機(jī)_去離子水設(shè)備。單硅晶體超水設(shè)備主要作用是用于清除表面污染雜質(zhì)，包括有機(jī)物和無(wú)機(jī)物，這些雜質(zhì)有的是以原子狀態(tài)、離子狀態(tài)、薄膜形式、顆粒形式存在與硅片的表面。有機(jī)污染包括光刻膠、有機(jī)溶劑殘留物、有機(jī)污染包括光刻膠、有機(jī)溶劑殘留物、合成蠟和人接觸器件、工具、器皿帶來(lái)的油脂或纖維。無(wú)機(jī)污染包括重金屬鉻、銅、鐵、金等，嚴(yán)重影響少數(shù)載流子壽命和表面電導(dǎo);堿金屬如鈉等，引起嚴(yán)重漏電;顆粒污染源則包括有機(jī)膠體纖維、微生物、細(xì)菌、塵埃、硅渣等物質(zhì)，這類物質(zhì)都會(huì)在生產(chǎn)過(guò)程中造成不同程度的危害，所以現(xiàn)在的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)、太陽(yáng)能電池硅片、多晶硅、單晶硅的生產(chǎn)過(guò)程中都需要使用超水進(jìn)行沖洗，整體過(guò)程受到的危害降到小。
滲源水企業(yè)生產(chǎn)的單硅晶體超水設(shè)備采用的是國(guó)內(nèi)先進(jìn)的科技，并搭配使用國(guó)際零部件，加上公司獨(dú)到的管理經(jīng)驗(yàn)理念，生產(chǎn)出滿足于單硅晶體行業(yè)應(yīng)用的量超水設(shè)備。
工藝流程：
原水箱→原水提升泵→石英砂過(guò)濾器→活性炭過(guò)濾器→軟水器→精密過(guò)濾器→一級(jí)高壓泵→一級(jí)反滲透→級(jí)間水箱→二級(jí)高壓泵→中間水箱→EDI提升泵→微孔過(guò)濾器→EDI系統(tǒng)→EDI水箱→拋光混床→用水點(diǎn)（≥18.2MΩ.CM）
設(shè)備性能：
1.
