英展有限公司代理德國 Alpha Plasma ,Alpha Plasma研發(fā)和生產(chǎn)世界給量的等離子系統(tǒng),統(tǒng)適用于半導(dǎo)體和復(fù)合材料工業(yè)的表面活化,清化和鍍膜工藝。
特點(diǎn): ASTRO 96 Strip Level System
---- W1635 X D1405 X H2265(mm)
---- 低壓微波等離子
---- 化學(xué)等離子清洗
---- 自動產(chǎn)品輸送系統(tǒng)
---- 出
---- 處理框架(可達(dá)108mm寬),基板
---- Solutions for flip chip encapsulation,cu wire bonding,stacked die applications.
AL-18 AL-76
* Chamber size: W250 X D290 X H250(mm) * Chamber size: W400 X D490 X H400(mm)
*1~3gas Channels * 3 gas Channels
AL -76
* Chamber size: W400 X D490 X H400(mm)
* 3 gas Channels
微波等離子清洗機(jī) AL76 的特點(diǎn):
微波等離子清洗機(jī) AL76 緊湊型
提升引線鍵合品質(zhì) 提升塑封成形品質(zhì)
提升裝片品質(zhì)
提升倒裝芯片底部填充品質(zhì)
Alpha Plasma系統(tǒng)將微波的優(yōu)勢提供至全世界的半導(dǎo)體制造商。其應(yīng)用范圍從晶圓制造中的光刻工藝,到芯片封裝中獨(dú)特的等離子清洗。
Alpha Plasma AL系列可提供出眾的等離子清洗性能。用于裝片,引線鍵合,塑封成形的,這臺微波等離子清洗機(jī)可提供良好的清洗效果。用于清洗倒裝芯片的底部填充更是無可比擬的.
微波等離子清洗機(jī) AL76 緊湊型 Alpha微波等離子清洗機(jī) AL76 緊湊型 是完美的多功能型設(shè)備。
這臺微波等 離子清洗設(shè)備可以滿足當(dāng)今先進(jìn)的, 360度全芯片封裝的要求。
創(chuàng)新的系統(tǒng) 設(shè)計(jì)和微波技術(shù)相結(jié)合,使得AL76 緊 湊型 成為富有成效和多功能的等離 子系統(tǒng)。
經(jīng)過驗(yàn)證的ECR技術(shù)只是眾多操作模 式中的一個典例。傳統(tǒng)的工作臺旋轉(zhuǎn) 模式也完美的包含在該系統(tǒng)配置中. . . . the Microwave advantage
技術(shù)規(guī)范:
工作腔體: 鋁
容積 :76 公升
腔體尺寸 :寬 400 mm X 長 490 mm X 高 400 mm
腔體的門 :抽屜型,具有觀察口
微波功率 :2,45 GHz,可調(diào)范圍 50 至 1200 Watts
氣體供應(yīng) :3 個標(biāo)準(zhǔn)型的數(shù)字氣體流量控制器
真空規(guī)格 :Baratron, 1 - 1000 Pa
真空系統(tǒng) :DN 63 ISO-K
真空閥門 :電-氣 節(jié)流閥
系統(tǒng)控制: PC, Windows, RS 232, USB, 以太網(wǎng) (也適用于遠(yuǎn)程控制) 10,4” 顯示器,觸摸屏, 圖形化的用戶界面軟件 Windows Office 可兼容:
現(xiàn)狀和錯誤信息,可存儲工藝數(shù)據(jù)和錯誤信息
工藝數(shù)據(jù)的輸出
工藝參數(shù)可進(jìn)行圖形監(jiān)控
自動和手動的操作模式
可選項(xiàng)真空泵 復(fù)合型真空泵,吸取能力 250 m3/h氣體管道 額外的數(shù)字氣體控制 (增加到4個) 可旋轉(zhuǎn)的工作臺 鋁,350 mm, 速度可調(diào)節(jié) ECR 設(shè)施 鋁,
帶有磁性的機(jī)架裝置 設(shè)施 3/N/PE AC 50 Hz 400/240 V 16 A
尺寸 寬 1050 mm X 長 800 mm X 高 2020 mm (含指示燈)
重量 95 kg 不含泵 ; 260 kg 含泵
Plasma的工作原理:
早期,日本為了迎合高集成度的電子制造技術(shù),開始使用超薄鍍金技術(shù),鍍金厚度小于0.05mm。但問題也隨之而來,當(dāng)DM工藝后,經(jīng)過烘烤,使原鍍金層下的Ni元素會上移到表面。在隨后的WB工藝中由于這些Ni元素及其他沾污會導(dǎo)致著線不佳現(xiàn)象,甚至著不上線(漏線,少線,點(diǎn)剝離,第二點(diǎn)剝離)。Plasma清洗機(jī)也就隨之出現(xiàn)。 當(dāng)chamber內(nèi)部之壓力低到某一程度(約10-1
torr左右)時, 氣態(tài)正離子開始往負(fù)電極移動, 由於受電場作用會加速撞擊負(fù)電極板, 產(chǎn)生電極板表面原子, 雜質(zhì)分子和離子以及二次電子(e-)…等, 此e-又會受電場作用往正電極方向移動, 於移動過程會撞擊chamber內(nèi)之氣體分子(ex. : Ar原子…等), 產(chǎn)生Ar 等氣態(tài)正離子, 此Ar 再受電場的作用去撞擊負(fù)電極板, 又再產(chǎn)生表面原子以及二次電子(e-)…等, 如此周而復(fù)始之作用即為Plasma產(chǎn)生之原理.
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