實(shí)驗(yàn)室超水設(shè)備 edi超水設(shè)備 檢驗(yàn)用超水設(shè)備 超水設(shè)備供應(yīng)商 電子行業(yè)超水設(shè)備 實(shí)驗(yàn)室超水機(jī) edi超水系統(tǒng) 實(shí)驗(yàn)室超水系統(tǒng)

在生物實(shí)驗(yàn)中，化驗(yàn)用水和實(shí)驗(yàn)用水都必須是無(wú)任何雜質(zhì)和導(dǎo)電介質(zhì)的超水。因?yàn)橐恍┘?xì)胞一旦受到水質(zhì)污染就無(wú)法給實(shí)驗(yàn)者提供正確的數(shù)據(jù)，會(huì)對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果造成一定的影響。可以說(shuō)生物試驗(yàn)中，只要是用到水的地方都必須是無(wú)污染，無(wú)雜質(zhì)，無(wú)導(dǎo)電介質(zhì)的超水。

實(shí)驗(yàn)室超水設(shè)備的工作原理：

實(shí)驗(yàn)室超水設(shè)備是一種將離子交換技術(shù)、離子交換膜技術(shù)和離子電遷移技術(shù)相結(jié)合的水制造技術(shù)。它巧妙的將電滲析和離子交換技術(shù)相結(jié)合，利用兩端電極高壓使水中帶電離子移動(dòng)，并配合離子交換樹(shù)脂及選擇性樹(shù)脂膜以加速離子移動(dòng)去除，從而達(dá)到水化的目的。

影響實(shí)驗(yàn)室超水設(shè)備的運(yùn)行因素：

(1)EDI進(jìn)水電導(dǎo)率的影響。

在相同的操作電流下，隨著原水電導(dǎo)率的增加EDI對(duì)弱電解質(zhì)的去除率減小，出水的電導(dǎo)率也增加。如果原水電導(dǎo)率低則離子的含量也低。

(2)工作電壓-電流的影響。

工作電流增大，產(chǎn)水水質(zhì)不斷變好。但如果在增至較高點(diǎn)后再增加電流，由于水電離產(chǎn)生的H 和OH-離子量過(guò)多，除用于再生樹(shù)脂外，大量富余離子充當(dāng)載流離子導(dǎo)電，同時(shí)由于大量載流離子移動(dòng)過(guò)程中發(fā)生積累和堵塞，甚至發(fā)生反擴(kuò)散，結(jié)果使產(chǎn)水水質(zhì)下降。

(3)濁度、污染指數(shù)(SDI)的影響。

EDI組件產(chǎn)水通道內(nèi)填充有離子交換樹(shù)脂，過(guò)高的濁度、污染指數(shù)會(huì)使通道堵塞，造成系統(tǒng)壓差上升，產(chǎn)水量下降。

(4)硬度的影響。

如果EDI中進(jìn)水的殘存硬度太高，會(huì)導(dǎo)致濃縮水通道的膜表面結(jié)垢，濃水流量下降，產(chǎn)水電阻率下降;影響產(chǎn)水水質(zhì)，嚴(yán)重時(shí)會(huì)堵塞組件濃水和極水流道，導(dǎo)致組件因內(nèi)部發(fā)熱而毀壞。

(5)TOC(總有機(jī)碳)的影響。

進(jìn)水中如果有機(jī)物含量過(guò)高，會(huì)造成樹(shù)脂和選擇透過(guò)性膜的有機(jī)污染，導(dǎo)致系統(tǒng)運(yùn)行電壓上升，產(chǎn)水水質(zhì)下降。同時(shí)也容易在濃縮水通道形成有機(jī)膠體，堵塞通道。

(6)進(jìn)水中CO2的影響。

進(jìn)水中CO2生成的HCO3-是弱電解質(zhì)，容易穿透離子交換樹(shù)脂層而造成產(chǎn)水水質(zhì)下降。

(7)總陰離子含量(TEA)的影響。

高的TEA將會(huì)降低EDI產(chǎn)水電阻率，或需要提高EDI運(yùn)行電流，而過(guò)高的運(yùn)行電流會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)電流增大，極水余氯濃度增大，對(duì)極膜壽命不利。

另外，進(jìn)水溫度、pH值、SiO2以及氧化物亦對(duì)實(shí)驗(yàn)室超水設(shè)備的運(yùn)行有影響。

超水設(shè)備的應(yīng)用領(lǐng)域：

1、半導(dǎo)體及電子行業(yè)-超水 　　

2、生物及制藥行業(yè)-化水 　　

3、發(fā)電廠-鍋爐補(bǔ)給水 　　

4、表面涂裝 　　

5、消費(fèi)品及化妝品行業(yè) 　　

6、代替各類蒸餾水 　　

7、其它對(duì)水的度要求高的行業(yè)

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