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深圳眾誠達(dá)應(yīng)用材料科技有限公司生產(chǎn)銷售磁控濺射用的靶材。中頻磁控濺射對(duì)靶和磁場的設(shè)計(jì)以及工作氣壓要求很高，中頻磁控濺射是直流磁控濺射沉積速率的2到3倍。中頻磁控濺射是兩個(gè)靶工作，制備化合物膜層，由于其離化率低很難找到一個(gè)的中毒點(diǎn)，對(duì)工作氣體的流量控制要求很嚴(yán)格。若控制不好則很難制備均勻和結(jié)合力好的膜層。再就是磁場的設(shè)計(jì)主要是磁場分布的均勻性這樣既可以提高靶材的利用率，另外對(duì)于中毒點(diǎn)工作時(shí)的穩(wěn)定性也有很大提高磁控濺射的離子能量和繞射性都遠(yuǎn)低于多弧靶面，與工件的距離是很重要的，太近離子對(duì)工件的轟擊可以損壞膜層，太遠(yuǎn)則偏離了濺射距離制備的膜層結(jié)合力很差。日本的科學(xué)家采用Bizo作為添加劑，Bi2O3在820Cr熔化，在l500℃的燒結(jié)溫度超出部分已經(jīng)揮發(fā)，這樣能夠在液相燒結(jié)條件下得到比較的ITO靶材。而且所需要的氧化物原料也不一定是納米顆粒，這樣可以簡化前期的工序。采川這樣的靶材得到的ITO薄膜的屯阻率達(dá)到8．1×10n-cm，接近的ITO薄膜的電阻率。FPD和導(dǎo)電玻璃的尺寸都相當(dāng)火，導(dǎo)電玻璃的寬度甚至可以達(dá)到3133_，為了提高靶材的利用率，開發(fā)了不同形狀的ITO靶材，如圓柱形等。2000年，發(fā)展計(jì)劃委員會(huì)、科學(xué)技術(shù)部在《當(dāng)前優(yōu)先發(fā)展的信息產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)領(lǐng)域指南》中，ITO大型靶材也列入其中。深圳眾誠達(dá)應(yīng)用材料科技有限公司生產(chǎn)銷售的靶材應(yīng)用于平板顯示與觸控行業(yè)。
