名片曝光使用說明

步驟1：創(chuàng)建名片

微信掃描名片二維碼，進(jìn)入虎易名片小程序，使用微信授權(quán)登錄并創(chuàng)建您的名片。

步驟2：投放名片

創(chuàng)建名片成功后，將投放名片至該產(chǎn)品“同類優(yōu)質(zhì)商家”欄目下,即開啟名片曝光服務(wù)，服務(wù)費(fèi)用為：1虎幣/天。(虎幣充值比率：1虎幣=1.00人民幣)

關(guān)于曝光服務(wù)

名片曝光只限于使用免費(fèi)模板的企業(yè)產(chǎn)品詳細(xì)頁下，因此當(dāng)企業(yè)使用收費(fèi)模板時(shí)，曝光服務(wù)將自動(dòng)失效，并停止扣除服務(wù)費(fèi)。

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BSM75GB120DN2 - SIEMENSPDF資料 英文描述：IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate) 中文描述：IGBT功率模塊（半橋包括快速續(xù)流二極管的絕緣金屬基片包） 1 2....9 BSM75GB120DN2 - INFINEONPDF資料 英文描述： 中文描述：IGBT 模塊 1200V 75A DUAL 技術(shù)規(guī)格：制造商:Infineon;產(chǎn)品種類:IGBT 模塊;RoHS:否;產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules;配置:Half Bridge Module;集電極—發(fā)射極較大電壓 VCEO:1200 V;集電極—射極飽和電壓:2.5 V;Continuous Collector Current at 25 C:105 A;柵極—射極漏泄電流:320 nA;功率耗散:625 W;較大工作溫度: 150 C;封裝 / 箱體:Half Bridge1;柵極/發(fā)射極較大電壓:20 V;安裝風(fēng)格:Screw;Standard Pack Qty:500 BSM75GB120DN2_E3223 - INFINEONPDF資料 英文描述： 中文描述：IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 105A 技術(shù)規(guī)格：制造商:Infineon;產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules;配置:Dual;集電極—發(fā)射極較大電壓 VCEO:1200 V;Continuous Collector Current at 25 C:105 A;較大工作溫度: 150 C;封裝 / 箱體:34MM;封裝:Reel;柵極/發(fā)射極較大電壓: /- 20 V;小工作溫度:- 40 C;安裝風(fēng)格:Screw BSM75GB120DN2_E3223C-SE - INFINEONPDF資料 英文描述： 中文描述：IGBT 模塊 IGBT 1200V 75A 技術(shù)規(guī)格：制造商:Infineon
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“BSM75GB120DN2 模塊”信息由發(fā)布人自行提供，其真實(shí)性、合法性由發(fā)布人負(fù)責(zé)。交易匯款需謹(jǐn)慎，請(qǐng)注意調(diào)查核實(shí)。
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