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在集成電路中，電容也是一個(gè)重要的元件。IC中應(yīng)盡量避免使用電容器，因電容器占面積大。在雙極型模擬集成電路中，集成電容器用作頻率補(bǔ)償以改善電路的頻率特性。在MOS模擬集成電路中，由于在工藝上制造集成電容比較容易，并且容易與MOS器件相匹配，故集成電容得到較廣泛的應(yīng)用。普通pn結(jié)電容的容量較小，有較大的溫度系數(shù)和寄生效應(yīng)等缺點(diǎn)，故應(yīng)用不多。在雙極型和MOS模擬集成電路中的電容大多采用MOS結(jié)構(gòu)或其相似結(jié)構(gòu)。由于在MOS工藝中實(shí)現(xiàn)的MOS電容，匹配精度比電阻好，一般約為0.1%~5%，因此在D/A、A/D轉(zhuǎn)換器和開(kāi)關(guān)電容電路等集成電路中，往往用電容代替電阻網(wǎng)絡(luò)。
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