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XC6219B182MR概要:
XC6219B182MR是高精度,低噪音,采用CMOS生產(chǎn)工藝的 LDO電壓調(diào)整器芯片。具有低輸出噪音,高紋波抑制,低輸入輸出壓差和非常快速的開啟時(shí)間。
XC6219B182MR芯片內(nèi)部包括一個(gè)參考電壓源,一個(gè)誤差運(yùn)算放大器,驅(qū)動(dòng)三極管,電流限制器和相位補(bǔ)償電路。
XC6219B182MR的電壓限制器foldback電路可為電流限制器和輸出引腳提供短路保護(hù)。
XC6219B182MR的輸出電壓可通過激光微調(diào)設(shè)定,輸出電壓范圍是從0.9V到5.0V,間隔為50mV。
XC6219B182MR可以使用低ESR的陶瓷電容, 以降低方案成本,并能改善輸出的穩(wěn)定性,并且具有良好的瞬態(tài)響應(yīng)和寬頻段的高紋波抑制,即使負(fù)載變化也能電路穩(wěn)定的工作。
XC6219B182MR具有CE功能,可使芯片停止工作,以降低功耗。
XC6219B182MR特點(diǎn):
較大輸出電流 150mA(VOUT<1.75V A～D Type),240mA(VOUT≧1.8V A～D Type),300mA(VOUT≧1.3V E～H Type)
輸入輸出電壓差 200mV(IOUT=100mA)
工作電壓范圍 2.0V~6.0V
輸出電壓范圍 0.9V～5.0V (50mV間隔)
高精度 ±2%(VOUT>1.5V),±30mV(VOUT≦1.5V),±1%(VOUT≦1.5V)
低功耗 25μA(TYP.)
待機(jī)電流 0.1μA(TYP.)
高紋波抑制 65dB(10kHz)
工作溫度范圍 -40℃～ 85℃
低 ESR 電容 可用陶瓷電容
封裝 SOT-25
