* IGCT參數(shù)指標(biāo)/特點(diǎn)

l 開通延遲時(shí)間                   

l 開通上升時(shí)間                

l 開通能量Eon                

l 關(guān)斷延遲時(shí)間狀態(tài)反饋        

l 最小關(guān)斷保護(hù)時(shí)間toff         

l 電源輸出電流: 500-6000A

l 開通電流上升率: 200-550A/uS

l 開通延遲時(shí)間狀態(tài)反饋

l 最小導(dǎo)通時(shí)間ton

l 關(guān)斷延遲時(shí)間

l 關(guān)斷下降時(shí)間

l 關(guān)斷能量EOff

l 電源直流電壓: 1000-6000V

*快速二極管參數(shù)指標(biāo)/特點(diǎn)

l 開通延遲時(shí)間

l 開通上升時(shí)間

l 開通能量Eon                     

l 關(guān)斷延遲時(shí)間狀態(tài)反饋

l 最小關(guān)斷保護(hù)時(shí)間toff

l 電源直流電壓: 1000-6000V

l 電源輸出電流: 500-6000A

l 開通電流上升率: 200-550A/uS

l 反向恢復(fù)電荷Qrr

l 反向恢復(fù)時(shí)間trr

l 關(guān)斷能量Eoff

* IGCT參數(shù)指標(biāo)/特點(diǎn)

lGCT及二極管動(dòng)態(tài)參數(shù)試驗(yàn)臺(tái)是針對(duì)大功率器件lGCT及二極管恢復(fù)進(jìn)行測(cè)試的重要試驗(yàn)設(shè)備, 該測(cè)試系統(tǒng)是一套綜合的測(cè)試系統(tǒng),綜合測(cè)試參數(shù)多,對(duì)設(shè)備的電氣性能要求高。測(cè)試控制完全采用自動(dòng)控制,測(cè)試可按測(cè)試員設(shè)定的程序進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試,軟件操作簡(jiǎn)単,界面友好,且可重復(fù)性好,具備檢測(cè)措誤、報(bào)警功能。該系統(tǒng)采用計(jì)算機(jī)記錄測(cè)試結(jié)果,并可將測(cè)試結(jié)果車考化為EXCEL文件進(jìn)行處理 。

即集成門極換流晶體管(lnteg rated Gate Conlmutated Thyristors),是一種新型電力半導(dǎo)體開關(guān)器件。

lGCT是將GTO芯片與反并聯(lián)二極管和門極驅(qū)動(dòng)電路集成在一起, 再與其門極驅(qū)動(dòng)器在外圍以低電感方式連接, 結(jié)合了晶體管的穩(wěn)定關(guān)斷能力和晶閘管低通態(tài)損耗的優(yōu)點(diǎn), 廣泛用于電力系統(tǒng)電網(wǎng)( 100MVA)和的中功率工業(yè)驅(qū)動(dòng)裝置(5MW)中 。

西安精華偉業(yè)電氣科技有限公司（www.xianjhwy.cn)專業(yè)從事IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)、IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)、IGBT功率循環(huán)試驗(yàn)臺(tái)、浪涌電流試驗(yàn)臺(tái)、FRD測(cè)試臺(tái)、SiC雪崩能量測(cè)試儀、Tq Qr and dv dt檢測(cè)設(shè)備、晶閘管阻斷特性測(cè)試臺(tái)、被動(dòng)熱循環(huán)試驗(yàn)臺(tái)、高溫反偏試驗(yàn)臺(tái)等大功率檢測(cè)設(shè)備的研發(fā)設(shè)計(jì)、制造、經(jīng)營(yíng)、技術(shù)咨詢與服務(wù)。