* 為德國英飛凌公司定制的tq、 Qr and dv/dt檢測設(shè)備
該測試設(shè)備適用于高電壓,大電流的半導(dǎo)體器件測試, 是世界上同類產(chǎn)品的較高水平 。
該設(shè)備可以測試晶閘管、 整流管關(guān)斷時間tq、反向恢復(fù)時間Qr、電壓上升率dv/dt、自動熱穩(wěn)態(tài)壓力實具。
晶閘管、 整流管是傳統(tǒng)、 常見的電力半導(dǎo)體器件, 我公司研制開發(fā)的相關(guān)檢測及性設(shè)備廣泛用于電力電子器件的生產(chǎn)企業(yè)、鐵路、 SVC閥體生產(chǎn)廠、高壓工程、地鐵等行業(yè)。
典型設(shè)備包括: 阻斷特性測試臺、 晶閘管觸發(fā)特性測試臺、 全自動電力半導(dǎo)體器件靜態(tài)、 動態(tài)綜合參數(shù)測試臺、 反向恢復(fù)電荷測試臺、晶閘管開通時間、關(guān)斷時間、電流上升率、電壓上升率測試臺,高溫阻斷試驗臺、自動熱穩(wěn)態(tài)壓力實具。
參數(shù)及范圍l Parametersand scope
晶閘管、整流管器件靜態(tài)測試臺主要參數(shù)及測試范圍 | |||||
測試項目 | 伏安特性測試 | 晶閘管門極特性測試 | 晶閘管維持特性測試 | 晶閘管筆住電流測試 | 通態(tài)峰値壓降測試 |
主要參數(shù)及范圍 | 峰值電壓:500~15kV 漏電流: 0.1 ~1000mA | 門極電壓VGT:0.2~ 5V 門極電流lGT:1mA~1A | 維持電流HI: 1mA~500mA | 擎住電流IL: 2mA~ 1 000mA | 峰値電流ITM: 500A~ 10kA 峰值壓降VTM: |