雪崩能量測試臺人機界面:
雪崩能量測試臺功能指標:
配置 | 測試范圍 | 測試參數(shù) | 條件 | 范圍 | |
電壓1000V | IGBT 絕緣柵極雙極型晶體管 | EAS/單脈沖雪崩能量 | VCE | 20V~4500V | 20V~100V±3%±1V 100V~1000V±3%±5V 1000V~4500V±3%±10V |
電流200A | MOSFETS MOS場效應管 | EAR/重復脈沖雪崩能量 | IC | 1mA~200A | 1mA~100mA±3%±0.1mA 100mA~2A±3%±5mA 2A~200A±3%±50mA |
DIODES 二極管 | IAS/脈沖雪崩電流 PAS/單脈沖雪崩功率 | Ea | 1J~2000J | 1J~100J±3%±1J 100J~500J±3%±5J 500J~2000J±3%±10J | |
IC(檢測） | 50mV/A(取決于傳感器） | ||||
感性負載 | 10mH、20mH、40mH、80mH、100mH | ||||
重復間隙時間 | 1~60s可調(diào)（進步is）重復次數(shù)：1~50次 | ||||
西安精華偉業(yè)電氣科技有限公司（www.xianjhwy.cn)專業(yè)從事IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)、IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)、IGBT功率循環(huán)試驗臺、浪涌電流試驗臺、FRD測試臺、SiC雪崩能量測試儀、Tq Qr and dv dt檢測設備、晶閘管阻斷特性測試臺、被動熱循環(huán)試驗臺、高溫反偏試驗臺等大功率檢測設備的研發(fā)設計、制造、經(jīng)營、技術(shù)咨詢與服務。
