HUSTEC華科智源

HUSTEC-1200A-MT

IGBT靜態(tài)參數(shù)綜合特性測(cè)試儀

           資料介紹及說(shuō)明    

一：主要特點(diǎn)

華科智源HUSTEC-1200A-MT電參數(shù)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管，MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試1200A（可擴(kuò)展至1600A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽車 ，風(fēng)力發(fā)電，變頻器，焊機(jī)行業(yè)的IGBT來(lái)料選型和失效分析，設(shè)備還可以用于變頻器，風(fēng)電，軌道交通，電焊機(jī)等行業(yè)的在線檢修，無(wú)需從電路板上取下來(lái)進(jìn)行單獨(dú)測(cè)試，可實(shí)現(xiàn)完美的在線IGBT檢測(cè)，測(cè)試方便，測(cè)試過(guò)程簡(jiǎn)單，既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試，又可以通過(guò)軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試，通過(guò)電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試；

測(cè)試參數(shù)：

ICES  集電極-發(fā)射極漏電流

IGESF 正向柵極漏電流 

IGESR 反向柵極漏電流

BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓

VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓

VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓

ICON 通態(tài)電極電流

VGEON 通態(tài)柵極電壓

VF 二極管正向?qū)▔航?/span>

整個(gè)測(cè)試過(guò)程自動(dòng)完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)管理查詢功能，可生成測(cè)試曲線，方便操作使用。

二：華科智源HUSTEC-1200A-MT大功率IGBT測(cè)試儀應(yīng)用范圍

A：IGBT單管及模塊，

B：大功率場(chǎng)效應(yīng)管（Mosfet）

C：大功率二極管

D：標(biāo)準(zhǔn)低阻值電阻

E：軌道交通，風(fēng)力發(fā)電，新能源汽車，變頻器，焊機(jī)等行業(yè)篩選以及在線故障檢測(cè)

三、華科智源IGBT測(cè)試儀系統(tǒng)特征：

A：測(cè)量多種IGBT、MOS管

B：脈沖電流1200A，電壓5KV，測(cè)試范圍廣；

C：脈沖寬度 50uS~300uS

D：Vce測(cè)量精度2mV

E：Vce測(cè)量范圍>10V  

F：電腦圖形顯示界面

G：智能保護(hù)被測(cè)量器件

H：上位機(jī)攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)功能

I：MOS IGBT內(nèi)部二極管壓降

J : 一次測(cè)試IGBT全部靜態(tài)參數(shù)

H: 生成測(cè)試曲線（IV曲線直觀看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位）

華科智源IGBT測(cè)試儀針對(duì) IGBT 的各種靜態(tài)參數(shù)而研制的智能測(cè)試系統(tǒng)；自動(dòng)化程度高（按照操作人員設(shè)定的程序自動(dòng)工作），計(jì)算機(jī)可以記錄測(cè)試結(jié)果，測(cè)試結(jié)果可轉(zhuǎn)化為文本格式存儲(chǔ)，測(cè)試方法靈活（可完美測(cè)試器件以及單個(gè)單元和多單元的模塊測(cè)試），安全穩(wěn)定（對(duì)設(shè)備的工作狀態(tài)進(jìn)行全程實(shí)時(shí)監(jiān)控并與硬件進(jìn)行互鎖），具有安全保護(hù)功能，測(cè)試速度方便快捷。

四：測(cè)試原理圖

3.1  IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試部分

   在線式IGBT測(cè)試儀接線示意圖

1）閾值電壓測(cè)試電路

圖1 閾值電壓測(cè)試電路（僅示出IEC標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試電路）

2）集射極截止電壓/集射極截止電流測(cè)試電路

圖2 集射極截止電壓/發(fā)射極截止電流測(cè)試電路

3）IGBT飽和壓降/FRD正向?qū)▔航禍y(cè)試電路

圖3 通態(tài)壓降測(cè)試電路

4）柵極漏電流測(cè)試電路

圖4 柵極漏電流測(cè)試電路

特征曲線舉例：

Vce-IC特征曲線

Vgth-Vce特征曲線

軟件測(cè)試界面

五：前后面板介紹

圖2 HUSTEC-1200A-MT型正面板圖

圖3 IGBT-1200-MT型背面板圖

六：華科智源IGBT測(cè)試儀制造標(biāo)準(zhǔn)

華科智源IGBT測(cè)試儀HUSTEC-1200A-MT除滿足本技術(shù)規(guī)格書的要求外，在其設(shè)計(jì)、制造、試驗(yàn)、檢定等制程中還應(yīng)滿足以下標(biāo)準(zhǔn)的新版本。

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