名片曝光使用說明

步驟1:創(chuàng)建名片

微信掃描名片二維碼,進(jìn)入虎易名片小程序,使用微信授權(quán)登錄并創(chuàng)建您的名片。

步驟2:投放名片

創(chuàng)建名片成功后,將投放名片至該產(chǎn)品“同類優(yōu)質(zhì)商家”欄目下,即開啟名片曝光服務(wù),服務(wù)費(fèi)用為:1虎幣/天。(虎幣充值比率:1虎幣=1.00人民幣)

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主要參數(shù)及特點(diǎn)

西安精華偉業(yè)IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試臺(tái)

*  IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試設(shè)備系統(tǒng)概述 

IGBT是廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代中、 大功率變換器中的主流半號(hào)體開關(guān)器件,其開關(guān)特性裝置的開關(guān)損耗、功率密度、器件應(yīng)力以及電磁兼容性, 直接影響變換器的性能。 因此準(zhǔn)確測(cè)量功率開關(guān)元件的開關(guān)性能具有板其重要的實(shí)際意義。

該系統(tǒng)是針對(duì)IGBT器件的開關(guān)特性及內(nèi)部續(xù)流二極管的反向恢復(fù)特性而推出的全自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng) 。 適用于電流小于4500A,集電板電壓小子6000V, 續(xù)流二板管正向電流小于4500A的IGBT器件的特性參數(shù)測(cè)試 。  

*  IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試設(shè)備規(guī)格/環(huán)境
·  單機(jī)尺寸: 800X800X1800(mm)

·  質(zhì)量: 210Kg

·  環(huán)境溫度: 15~40℃

·  工作電圧: AC220V±10%無(wú)嚴(yán)重諧波
·  電網(wǎng)頻率: 50Hz±1Hz

·  氣壓: 86kpa~106kpa

開通時(shí)間測(cè)試單元

關(guān)閉時(shí)間測(cè)試單元

二極管反向恢復(fù)測(cè)試單元

該系統(tǒng)的測(cè)試単元通過電容充放電原理產(chǎn)生電流波形, 測(cè)試時(shí)根據(jù)不同的測(cè)試條件, 設(shè)定測(cè)試電壓, 再通過調(diào)節(jié)不同的電感値或選擇不同的測(cè)試脈沖寬度來(lái)輸出測(cè)試要求的電流值,測(cè)試的電壓和電流波形同時(shí)被采集到示波器, 并由示波器與工控機(jī)直接通訊, 將采集數(shù)據(jù)傳輸給計(jì)算機(jī),計(jì)算機(jī)經(jīng)過處理計(jì)算后,將測(cè)式數(shù)據(jù)以表格形式顯示并進(jìn)行最終的編輯和打印。

計(jì)算機(jī)控制單元

PLC控制單元

自動(dòng)恒溫啟動(dòng)壓力夾具

作為主控制單元,設(shè)備部分工作程序/間序、開關(guān)的動(dòng)作狀態(tài),數(shù)據(jù)采集等均由計(jì)算機(jī)完成 。

測(cè)試中. 計(jì)算機(jī)與示波器件通訊并控制其工作狀態(tài),并將數(shù)據(jù)采集到計(jì)算機(jī)進(jìn)行處理,顯示,編輯。

 

系統(tǒng)除工控機(jī)外, 還采用了歐姆龍系列的PLC控制設(shè)備的工作時(shí)序,對(duì)主要開關(guān)的工作狀態(tài)/動(dòng)作進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控, 并與硬件互鎖,實(shí)現(xiàn)了可靠的安全控制功能。通過與計(jì)算機(jī)通訊, 完成整個(gè)系統(tǒng)的自動(dòng)控制。

該單元采用品牌空氣壓縮機(jī)供氣, 溫度裝置的控溫范圍是25℃一200℃控溫精度±2℃±1%,液壓升降柱,自動(dòng)升降門, 20個(gè)探針的接觸巨陣??砂踩€(wěn)定的完成器件/模塊的測(cè)試接觸。

 

 

IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試設(shè)備參數(shù)條件:

IGBT開通特性測(cè)試

IGBT關(guān)斷特性測(cè)試

測(cè)試氣動(dòng)夾具

測(cè)試參數(shù)

開通延遲td(on)

10~1000ns±5%±10ns

Tj=25℃和125℃

關(guān)斷延遲td(on)

10~1000ns±5%±10ns

Tj=25℃和125℃

壓力:5000PA的品牌空壓機(jī)供氣。

控溫范圍:25℃~200℃

控溫精度:±1.0℃±1%

器件接觸:20個(gè)探針的接觸矩陣

上升時(shí)間tr

10~1000ns±5%±10ns

Tj=25℃和125℃

下降時(shí)間tr

10~1000ns±5%±10ns

Tj=25℃和125℃

開通能量Eon

1~1000mJ±5%±0.1mJ

Tj=25℃和125℃

關(guān)斷能量Eon

1~1000mJ±5%±0.1mJ

Tj=25℃和125℃

測(cè)試條件

集電極電壓Vce

50~3500V±5%

根據(jù)客戶要求定制

集電極電壓Vce

50~3500V±5%

根據(jù)客戶要求定制

集電極電流Ice

50~1500A±5%

根據(jù)客戶要求定制

集電極電流Ice

50~1500A±5%

根據(jù)客戶要求定制

負(fù)載L

20~1000uH

負(fù)載L

20~1000uH

柵極電壓Vge

±15V±3%±0.2V



短路測(cè)試Sct(選配)

一次短路/脈寬10us/短路電流10ka

二極管反向恢復(fù)Drr(選配)

反向恢復(fù)電流/反向恢復(fù)時(shí)間/反向di/dt

IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試設(shè)備人機(jī)界面:

產(chǎn)品推薦
“IGBT絕緣柵雙極型晶體管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀”信息由發(fā)布人自行提供,其真實(shí)性、合法性由發(fā)布人負(fù)責(zé)。交易匯款需謹(jǐn)慎,請(qǐng)注意調(diào)查核實(shí)。
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