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中頻磁控濺射技術(shù)已漸成為濺射鍍膜的主流技術(shù)，它優(yōu)于直流磁控濺射鍍膜的特點是：（1）克服了陽極消失現(xiàn)象；（2）減弱或消除靶的異?；」夥烹?。因此，提高了濺射過程的工藝穩(wěn)定性，同時，提高了介質(zhì)膜的沉積速率數(shù)倍。
我公司研發(fā)了平面靶、圓柱靶、孿生靶和對靶等多種形式的中頻濺射靶結(jié)構(gòu)和布局。該類設(shè)備廣泛應(yīng)用于表殼、表帶、手機(jī)殼、高爾夫球具、五金、餐具等。鍍TiN、TiC、TiCN、TiAIN、CrN等各種裝飾鍍層。
參數(shù)說明：
型號 JTL-1090 JTL-1110 JTL-1312
真空室尺寸 Φ1000Χ900mm Φ11000Χ1000mm Φ1300Χ1200mm
鍍膜方式及主要配置 六個多弧靶 +一套圓柱靶+一套平面矩形磁控濺射靶 六個多弧靶 +一對孿生（中頻）磁控濺射靶+一套平面矩形磁控濺射靶 八個多弧靶 +二套平面矩形磁控濺射靶+一對孿生（中頻）磁控濺射靶
制膜種類 金屬膜、介質(zhì)膜、化合物膜、反應(yīng)膜、多層膜
電源 多弧電源、直流磁控電源、中頻磁控電源、燈絲電源、脈沖偏壓電源、離子源電源
真空室結(jié)構(gòu) 立式前（單）開門，后置抽氣系統(tǒng)，雙層水冷
真空系統(tǒng)組成 分子泵（擴(kuò)散泵） +羅茨泵+機(jī)械泵
抽氣時間 大氣抽至8.0Χ10-3pa≤15min
工件運動方式 公自轉(zhuǎn)變頻調(diào)速
工件烘烤溫度 常溫到350℃可調(diào)可控
控制方式 手動/半自動 /全自動（PLC+HMI）三種控制方式可選
備注 以上設(shè)備可按客戶實際產(chǎn)品及特殊工藝要求設(shè)計訂做
